FDS4435BZ - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDS4435BZ
Hersteller Teil #: FDS4435BZ
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDS4435BZ - P CHANNEL MOSFET, -30V, 8.8A, SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Factory Lead Time  
18 Weeks
Contact Plating  
Tin
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins  
8
Weight  
130mg
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
8.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
4.5V 10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
2.5W Ta
Turn Off Delay Time  
30 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerTrench®
Published  
2009
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
8
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
20MOhm
Voltage - Rated DC  
-30V
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Current Rating  
-8.8A
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
2.5W
Turn On Delay Time  
10 ns
FET Type  
P-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
20m Ω @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
3V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1845pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
40nC @ 10V
Rise Time  
13ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
30V
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
38 ns
Continuous Drain Current (ID)  
-8.8A
Threshold Voltage  
-2.1V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain to Source Breakdown Voltage  
-30V
Max Junction Temperature (Tj)  
150°C
Nominal Vgs  
-2.1 V
Feedback Cap-Max (Crss)  
345 pF
Height  
1.75mm
Length  
5mm
Width  
4mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:FDS4435BZ Enthaltenes Wort ist 3
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDS4435BZ 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) ON SEMICONDUCTOR - FDS4435BZ - P CHANNEL MOSFET, -30V, 8.8A, SOIC
DMG4435SSS-13 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8
IRF7416TRPBF 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
Verwandte Teile in FDS4435BZ
FDS4435BZ Verwandtes Stichwort.
  • FDS4435BZ Preis
  • FDS4435BZ Verteilers
  • FDS4435BZ Hersteller
  • FDS4435BZ Technische Daten
  • FDS4435BZ PDF
  • FDS4435BZ Datenblätter
  • FDS4435BZ Bild
  • FDS4435BZ Foto
  • FDS4435BZ Teil
  • FDS4435BZ Lagerbestand
  • FDS4435BZ Inventar
  • FDS4435BZ Angebotsanfrage
  • Kaufen FDS4435BZ
  • FDS4435BZ Anfrage
  • FDS4435BZ Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

Termination is Lead-free and what is compliant?

RoHS

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDS4435BZ - P CHANNEL MOSFET, -30V, 8.8A, SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 30000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 0.87334
Menge. Stückpreis
1+: $0.87334
10+: $0.82391
100+: $0.77727
500+: $0.73327
1000+: $0.69177
Zwischensumme: $0.87334

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren